IRF840PBF-ML MOSLEADER

Symbol Micros: TIRF840 MOS
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 695mOhm; 10A; 178W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF840PBF; IRF840PBF-BE3;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 695mOhm
Maksymalny prąd drenu: 10A
Maksymalna tracona moc: 178W
Obudowa: TO220
Producent: MOSLEADER
Maksymalne napięcie dren-źródło: 500V
Typ tranzystora: N-MOSFET
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 695mOhm
Maksymalny prąd drenu: 10A
Maksymalna tracona moc: 178W
Obudowa: TO220
Producent: MOSLEADER
Maksymalne napięcie dren-źródło: 500V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta