IRF8736
Symbol Micros:
TIRF8736
Obudowa: SOP08
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 6,8mOhm; 18A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF8736PBF; IRF8736TRPBF; IRF8736PBF-GURT;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 6,8mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 18A |
Maksymalna tracona moc: | 2,5W |
Obudowa: | SOP08 |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRF8736 RoHS
Obudowa dokładna: SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
162 szt.
ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 400+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 4,7500 | 3,3300 | 2,8300 | 2,5800 | 2,5000 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF8736TRPBF
Obudowa dokładna: SOP08
Magazyn zewnetrzny:
16000 szt.
ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 2,5000 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF8736TRPBF
Obudowa dokładna: SOP08
Magazyn zewnetrzny:
9650 szt.
ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 2,5000 |
Rezystancja otwartego kanału: | 6,8mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 18A |
Maksymalna tracona moc: | 2,5W |
Obudowa: | SOP08 |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |