IRF8736

Symbol Micros: TIRF8736
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOP08
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 6,8mOhm; 18A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF8736PBF; IRF8736TRPBF; IRF8736PBF-GURT;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 6,8mOhm
Maksymalny prąd drenu: 18A
Maksymalna tracona moc: 2,5W
Obudowa: SOP08
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRF8736 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
162 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 4,7500 3,3300 2,8300 2,5800 2,5000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1500
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF8736TRPBF Obudowa dokładna: SOP08  
Magazyn zewnetrzny:
16000 szt.
ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,5000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF8736TRPBF Obudowa dokładna: SOP08  
Magazyn zewnetrzny:
9650 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,5000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 6,8mOhm
Maksymalny prąd drenu: 18A
Maksymalna tracona moc: 2,5W
Obudowa: SOP08
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD