IRF8910TRPBF
Symbol Micros:
TIRF8910
Obudowa: SOP08
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 20V; 18,3mOhm; 10A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF8910PBF; IRF8910TRPBF; IRF8910PBF-GURT; IRF8910;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 18,3mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 10A |
| Maksymalna tracona moc: | 2W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRF8910TR RoHS
Obudowa dokładna: SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,7900 | 2,3800 | 1,9800 | 1,7600 | 1,6500 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF8910TRPBF
Obudowa dokładna: SOP08
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
| ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,6500 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 18,3mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 10A |
| Maksymalna tracona moc: | 2W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |