IRF9510
Symbol Micros:
TIRF9510
Obudowa: TO220
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 1,2Ohm; 4A; 43W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9510PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 1,2Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 4A |
Maksymalna tracona moc: | 43W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | VISHAY |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: IRF9510 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 100+ | 400+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 2,8700 | 1,8000 | 1,4100 | 1,3300 | 1,2500 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRF9510PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
1050 szt.
ilość szt. | 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,2500 |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: IRF9510PBF RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 100+ | 400+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 2,8700 | 1,8000 | 1,4100 | 1,3300 | 1,2500 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRF9510PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
655 szt.
ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,2500 |
Rezystancja otwartego kanału: | 1,2Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 4A |
Maksymalna tracona moc: | 43W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | VISHAY |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | THT |