IRF9510
Symbol Micros:
TIRF9510
Obudowa: TO220
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 1,2Ohm; 4A; 43W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9510PBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,2Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4A |
| Maksymalna tracona moc: | 43W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRF9510PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
525 szt.
| ilość szt. | 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1500 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRF9510PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
1025 szt.
| ilość szt. | 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,2387 |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: IRF9510PBF RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
200 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,6500 | 1,6800 | 1,3200 | 1,2000 | 1,1500 |
Producent: -
Symbol producenta: IRF9510PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
66250 szt.
| ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1500 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,2Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4A |
| Maksymalna tracona moc: | 43W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |