IRF9530

Symbol Micros: TIRF9530
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 300mOhm; 12A; 88W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9530PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 300mOhm
Maksymalny prąd drenu: 12A
Maksymalna tracona moc: 88W
Obudowa: TO220
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: Siliconix Symbol producenta: IRF9530 RoHS Obudowa dokładna: TO220  
Stan magazynowy:
389 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,0400 4,6100 3,8200 3,3500 3,1800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/700
Producent: Vishay Symbol producenta: IRF9530PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
600 szt.
ilość szt. 350+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,1800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Vishay Symbol producenta: IRF9530PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
1658 szt.
ilość szt. 400+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,1800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: - Symbol producenta: IRF9530PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
50 szt.
ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,1800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 300mOhm
Maksymalny prąd drenu: 12A
Maksymalna tracona moc: 88W
Obudowa: TO220
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT