IRF9530
Symbol Micros:
TIRF9530
Obudowa: TO220
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 300mOhm; 12A; 88W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9530PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 300mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 12A |
Maksymalna tracona moc: | 88W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | VISHAY |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: IRF9530 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
389 szt.
ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 6,0400 | 4,6100 | 3,8200 | 3,3500 | 3,1800 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRF9530PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
600 szt.
ilość szt. | 350+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 3,1800 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRF9530PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
1658 szt.
ilość szt. | 400+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 3,1800 |
Producent: -
Symbol producenta: IRF9530PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
50 szt.
ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 3,1800 |
Rezystancja otwartego kanału: | 300mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 12A |
Maksymalna tracona moc: | 88W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | VISHAY |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | THT |