IRF9530S smd
Symbol Micros:
TIRF9530s
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 300mOhm; 12A; 88W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9530SPBF; IRF9530STRLPBF; IRF9530STRRPBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 300mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 12A |
| Maksymalna tracona moc: | 88W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: IRF9530S RoHS
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Stan magazynowy:
144 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 50+ | 150+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,7000 | 3,1200 | 2,4000 | 2,2800 | 2,2400 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRF9530SPBF
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
1179 szt.
| ilość szt. | 300+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,2400 |
Producent: -
Symbol producenta: IRF9530SPBF
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
450 szt.
| ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,2400 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 300mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 12A |
| Maksymalna tracona moc: | 88W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |