IRF9952

Symbol Micros: TIRF9952
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOP08
Tranzystor 2xN/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 150mOhm/400mOhm; 3,5A/2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9952TRPBF; IRF9952PBF-GURT;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 400mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3,5A
Maksymalna tracona moc: 2W
Obudowa: SOP08
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: 2xN/P-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF9952TRPBF Obudowa dokładna: SOP08  
Magazyn zewnetrzny:
3100 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,8184
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 400mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3,5A
Maksymalna tracona moc: 2W
Obudowa: SOP08
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: 2xN/P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD