IRF9Z24N

Symbol Micros: TIRF9Z24n
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 175mOhm; 12A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9Z24NPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 175mOhm
Maksymalny prąd drenu: 12A
Maksymalna tracona moc: 45W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF9Z24NPBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
3269 szt.
ilość szt. 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,9884
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF9Z24NPBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
1110 szt.
ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,1290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 175mOhm
Maksymalny prąd drenu: 12A
Maksymalna tracona moc: 45W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta