IRF9Z34N

Symbol Micros: TIRF9Z34n

Obudowa: TO220

Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 100mOhm; 19A; 68W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9Z34NPBF;

Parametry

Rezystancja otwartego kanału:	100mOhm
Maksymalny prąd drenu:	19A
Maksymalna tracona moc:	68W
Obudowa:	TO220
Producent:	International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło:	55V
Typ tranzystora:	P-MOSFET

Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRF9Z34N RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa

Stan magazynowy:

277 szt.

ilość szt.	2+	10+	50+	200+	1000+
cena netto (PLN)	2,7400	1,7300	1,3700	1,2500	1,1900

Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRF9Z34NPBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa

Stan magazynowy:

200 szt.

ilość szt.	2+	10+	50+	200+	1000+
cena netto (PLN)	2,7400	1,7300	1,3700	1,2500	1,1900

Producent: Infineon Symbol producenta: IRF9Z34NPBF Obudowa dokładna: TO220

Magazyn zewnetrzny:

1665 szt.

ilość szt.	1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	1,1900

Producent: Infineon Symbol producenta: IRF9Z34NPBF Obudowa dokładna: TO220

Magazyn zewnetrzny:

2740 szt.

ilość szt.	10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	1,2841

Producent: Infineon Symbol producenta: IRF9Z34NPBF Obudowa dokładna: TO220

Magazyn zewnetrzny:

2416 szt.

ilość szt.	500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	1,1900

Rezystancja otwartego kanału:	100mOhm
Maksymalny prąd drenu:	19A
Maksymalna tracona moc:	68W
Obudowa:	TO220
Producent:	International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło:	55V
Typ tranzystora:	P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	20V
Temperatura pracy (zakres):	-55°C ~ 175°C
Montaż:	THT

Ilość szt.	1+	5+	20+	50+	300+
cena netto (PLN)	3,7600	2,4900	2,0500	1,9100	1,7900