IRFB18N50K

Symbol Micros: TIRFB18n50k
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 290mOhm; 17A; 220W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFB18N50KPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 290mOhm
Maksymalny prąd drenu: 17A
Maksymalna tracona moc: 220W
Obudowa: TO220
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 500V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Vishay Symbol producenta: IRFB18N50KPBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
1137 szt.
ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,3909
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 290mOhm
Maksymalny prąd drenu: 17A
Maksymalna tracona moc: 220W
Obudowa: TO220
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 500V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT