IRFB260NPBF Infineon
Symbol Micros:
TIRFB260n
Obudowa: TO220AB
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 56A; 380W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 40mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 56A |
| Maksymalna tracona moc: | 380W |
| Obudowa: | TO220AB |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRFB260N RoHS
Obudowa dokładna: TO220AB
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 16,6900 | 14,1300 | 12,5900 | 11,5900 | 11,2000 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFB260NPBF
Obudowa dokładna: TO220AB
Magazyn zewnetrzny:
880 szt.
| ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 11,2000 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFB260NPBF
Obudowa dokładna: TO220AB
Magazyn zewnetrzny:
4467 szt.
| ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 11,2000 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 40mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 56A |
| Maksymalna tracona moc: | 380W |
| Obudowa: | TO220AB |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |