IRFB3077PBF TO220AB
Symbol Micros:
TIRFB3077
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 3,3mOhm; 210A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3077PBF; IRFB3077PBFXKMA1;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 3,3mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 210A |
Maksymalna tracona moc: | 370W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 75V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRFB3077 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
14 szt.
ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 11,2000 | 9,6800 | 8,7800 | 8,2200 | 8,0000 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFB3077PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
152698 szt.
ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 8,0000 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFB3077PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
5421 szt.
ilość szt. | 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 8,0000 |
Rezystancja otwartego kanału: | 3,3mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 210A |
Maksymalna tracona moc: | 370W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 75V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | THT |