IRFB3077PBF TO220AB

Symbol Micros: TIRFB3077
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 3,3mOhm; 210A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3077PBF; IRFB3077PBFXKMA1;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 3,3mOhm
Maksymalny prąd drenu: 210A
Maksymalna tracona moc: 370W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 75V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFB3077 RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
14 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 11,2000 9,6800 8,7800 8,2200 8,0000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFB3077PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
152698 szt.
ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 8,0000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFB3077PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
5421 szt.
ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 8,0000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 3,3mOhm
Maksymalny prąd drenu: 210A
Maksymalna tracona moc: 370W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 75V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT