IRFB3206 TO220
Symbol Micros:
TIRFB3206
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3mOhm; 210A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3206PBF; IRFB 3206 PBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 3mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 210A |
| Maksymalna tracona moc: | 300W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFB3206PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
11282 szt.
| ilość szt. | 300+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,4170 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFB3206PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
130 szt.
| ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,4988 |
Producent: -
Symbol producenta: IRFB 3206 PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
92 szt.
| ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,5482 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 3mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 210A |
| Maksymalna tracona moc: | 300W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |