IRFB3207Z

Symbol Micros: TIRFB3207z
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,1mOhm; 170A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3207ZPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 4,1mOhm
Maksymalny prąd drenu: 170A
Maksymalna tracona moc: 300W
Obudowa: TO220
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 75V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFB3207Z RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 7,1900 5,7400 4,9100 4,4100 4,2300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Rezystancja otwartego kanału: 4,1mOhm
Maksymalny prąd drenu: 170A
Maksymalna tracona moc: 300W
Obudowa: TO220
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 75V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT