IRFB3207Z
Symbol Micros:
TIRFB3207z
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,1mOhm; 170A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3207ZPBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,1mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 170A |
| Maksymalna tracona moc: | 300W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 75V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRFB3207Z RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
40 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,1900 | 5,7400 | 4,9100 | 4,4100 | 4,2300 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFB3207ZPBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
1566 szt.
| ilość szt. | 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,2300 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFB3207ZPBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
180 szt.
| ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,4513 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,1mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 170A |
| Maksymalna tracona moc: | 300W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 75V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |