IRFB3307

Symbol Micros: TIRFB3307
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 6,3mOhm; 130A; 250W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3307PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 6,3mOhm
Maksymalny prąd drenu: 130A
Maksymalna tracona moc: 250W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 75V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFB3307PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
5898 szt.
ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,3234
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 6,3mOhm
Maksymalny prąd drenu: 130A
Maksymalna tracona moc: 250W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 75V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT