IRFB3607
Symbol Micros:
TIRFB3607
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 9mOhm; 80A; 140W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3607PBF; SP001551746;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 9mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 80A |
Maksymalna tracona moc: | 140W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 75V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFB3607 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
670 szt.
ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 4,7000 | 3,4500 | 2,7700 | 2,3800 | 2,2400 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFB3607PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
5731 szt.
ilość szt. | 400+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 2,2400 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFB3607PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
2590 szt.
ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 2,2400 |
Rezystancja otwartego kanału: | 9mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 80A |
Maksymalna tracona moc: | 140W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 75V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | THT |