IRFB3607

Symbol Micros: TIRFB3607
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 9mOhm; 80A; 140W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3607PBF; SP001551746;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 9mOhm
Maksymalny prąd drenu: 80A
Maksymalna tracona moc: 140W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 75V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFB3607 RoHS Obudowa dokładna: TO220  
Stan magazynowy:
670 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 4,7000 3,4500 2,7700 2,3800 2,2400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/1000
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFB3607PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
5731 szt.
ilość szt. 400+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,2400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFB3607PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
2590 szt.
ilość szt. 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,2400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 9mOhm
Maksymalny prąd drenu: 80A
Maksymalna tracona moc: 140W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 75V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT