IRFB38N20D
Symbol Micros:
TIRFB38n20d
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 54mOhm; 43A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB38N20DPBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 54mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 43A |
| Maksymalna tracona moc: | 300W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFB38N20DPBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
180 szt.
| ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,0014 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFB38N20DPBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
9305 szt.
| ilość szt. | 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,5047 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 54mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 43A |
| Maksymalna tracona moc: | 300W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |