IRFB4020
Symbol Micros:
TIRFB4020
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 100mOhm; 18A; 100W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4020PBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 100mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 18A |
| Maksymalna tracona moc: | 100W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRFB4020 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
92 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,7200 | 5,7200 | 4,7600 | 4,6500 | 4,5400 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFB4020PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
750 szt.
| ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,5400 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFB4020PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
3953 szt.
| ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,5400 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFB4020PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
670 szt.
| ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,5400 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 100mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 18A |
| Maksymalna tracona moc: | 100W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |