IRFB4110

Symbol Micros: TIRFB4110
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4110PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 4,5mOhm
Maksymalny prąd drenu: 180A
Maksymalna tracona moc: 370W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFB4110PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
6398 szt.
ilość szt. 1+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 5,9012
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFB4110PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
830 szt.
ilość szt. 10+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 7,5414
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFB4110PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
6621 szt.
ilość szt. 1+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 10,9365
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 4,5mOhm
Maksymalny prąd drenu: 180A
Maksymalna tracona moc: 370W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta