IRFB4115
Symbol Micros:
TIRFB4115
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 11mOhm; 104A; 380W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4115PBF; SP001565902;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 11mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 104A |
Maksymalna tracona moc: | 380W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 150V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFB4115 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
75 szt.
ilość szt. | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 15,8000 | 13,5800 | 12,4100 | 12,2600 | 12,1500 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFB4115PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
4545 szt.
ilość szt. | 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 12,1500 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFB4115PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
940 szt.
ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 12,1500 |
Rezystancja otwartego kanału: | 11mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 104A |
Maksymalna tracona moc: | 380W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 150V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | THT |