IRFB4310z
Symbol Micros:
TIRFB4310z
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6mOhm; 127A; 250W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4310ZPBF; IRFB4310ZPBFXKMA1;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 6mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 127A |
Maksymalna tracona moc: | 250W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFB4310ZPBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
67650 szt.
ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 2,6794 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFB4310ZPBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
12255 szt.
ilość szt. | 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 4,2945 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFB4310ZPBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
390 szt.
ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 4,9036 |
Rezystancja otwartego kanału: | 6mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 127A |
Maksymalna tracona moc: | 250W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | THT |