IRFB4332
Symbol Micros:
TIRFB4332
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 250V; 30V; 33mOhm; 60A; 390W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4332PBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 33mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 60A |
| Maksymalna tracona moc: | 390W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 250V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRFB4332PBF RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
95 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 10,9400 | 8,6800 | 7,5600 | 7,4200 | 7,2900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFB4332PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
235900 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,2900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFB4332PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
410 szt.
| ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,2900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 33mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 60A |
| Maksymalna tracona moc: | 390W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 250V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |