IRFB4410PBF

Symbol Micros: TIRFB4410
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10mOhm; 96A; 250W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 10mOhm
Maksymalny prąd drenu: 96A
Maksymalna tracona moc: 250W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFB4410 RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
74 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 50+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 7,1100 5,2700 4,3900 4,2800 4,1800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFB4410PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
71605 szt.
ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,1800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFB4410PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
200 szt.
ilość szt. 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,1800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFB4410PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,1800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 10mOhm
Maksymalny prąd drenu: 96A
Maksymalna tracona moc: 250W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT