IRFB4410PBF
Symbol Micros:
TIRFB4410
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10mOhm; 96A; 250W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 10mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 96A |
Maksymalna tracona moc: | 250W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRFB4410 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
74 szt.
ilość szt. | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 300+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 7,1100 | 5,2700 | 4,3900 | 4,2800 | 4,1800 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFB4410PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
71605 szt.
ilość szt. | 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 4,1800 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFB4410PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
200 szt.
ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 4,1800 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFB4410PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 4,1800 |
Rezystancja otwartego kanału: | 10mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 96A |
Maksymalna tracona moc: | 250W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | THT |