IRFB4710
Symbol Micros:
TIRFB4710
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 14mOhm; 75A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4710PBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 14mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 75A |
| Maksymalna tracona moc: | 200W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRFB4710 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 10,5700 | 9,1400 | 8,2900 | 7,7500 | 7,5500 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFB4710PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
800 szt.
| ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,5500 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 14mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 75A |
| Maksymalna tracona moc: | 200W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |