IRFB52N15D
Symbol Micros:
TIRFB52n15d
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 30V; 32mOhm; 60A; 320W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB52N15DPBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 32mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 60A |
| Maksymalna tracona moc: | 320W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 150V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRFB52N15DPBF RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
71 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 10,0400 | 8,4200 | 7,4800 | 6,9000 | 6,6900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFB52N15DPBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
14472 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,6900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFB52N15DPBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
4940 szt.
| ilość szt. | 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,6900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFB52N15DPBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
200 szt.
| ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,6900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 32mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 60A |
| Maksymalna tracona moc: | 320W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 150V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |