IRFB5615
Symbol Micros:
TIRFB5615
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 39mOhm; 35A; 144W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB5615PBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 39mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 35A |
| Maksymalna tracona moc: | 144W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 150V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFB5615PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
3601 szt.
| ilość szt. | 300+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,8880 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFB5615PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
300 szt.
| ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,8289 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 39mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 35A |
| Maksymalna tracona moc: | 144W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 150V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |