IRFB7430 TO220AB
Symbol Micros:
TIRFB7430
Obudowa: TO220AB
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 1,3mOhm; 409A; 375W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB7430PBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,3mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 409A |
| Maksymalna tracona moc: | 375W |
| Obudowa: | TO220AB |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRFB7430 RoHS
Obudowa dokładna: TO220AB
karta katalogowa
Stan magazynowy:
518 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 17,3700 | 14,7100 | 13,1000 | 12,0700 | 11,6600 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFB7430PBF
Obudowa dokładna: TO220AB
Magazyn zewnetrzny:
7674 szt.
| ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 11,6600 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFB7430PBF
Obudowa dokładna: TO220AB
Magazyn zewnetrzny:
110 szt.
| ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 11,6600 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,3mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 409A |
| Maksymalna tracona moc: | 375W |
| Obudowa: | TO220AB |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |