IRFB7434

Symbol Micros: TIRFB7434
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220AB
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 1,8mOhm; 317A; 294W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB7434PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 1,8mOhm
Maksymalny prąd drenu: 317A
Maksymalna tracona moc: 294W
Obudowa: TO220AB
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFB7434PBF Obudowa dokładna: TO220AB  
Magazyn zewnetrzny:
500 szt.
ilość szt. 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,6846
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 1,8mOhm
Maksymalny prąd drenu: 317A
Maksymalna tracona moc: 294W
Obudowa: TO220AB
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT