IRFB7530
Symbol Micros:
TIRFB7530
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,1mOhm; 295A; 375W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB7530PBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,1mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 295A |
| Maksymalna tracona moc: | 375W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRFB7530 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
40 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 10,7100 | 8,9800 | 7,9900 | 7,3700 | 7,1400 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFB7530PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
1230 szt.
| ilość szt. | 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,1400 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFB7530PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
70 szt.
| ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,1400 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,1mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 295A |
| Maksymalna tracona moc: | 375W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |