IRFB7534PBF Infineon

Symbol Micros: TIRFB7534
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220AB
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,6mOhm; 232A; 294W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 2,6mOhm
Maksymalny prąd drenu: 232A
Maksymalna tracona moc: 294W
Obudowa: TO220AB
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFB7534 RoHS Obudowa dokładna: TO220AB karta katalogowa
Stan magazynowy:
115 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 50+ 250+
cena netto (PLN) 6,5300 4,8300 4,2200 4,0200 3,8400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/250
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFB7534PBF Obudowa dokładna: TO220AB  
Magazyn zewnetrzny:
1754 szt.
ilość szt. 350+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,8400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFB7534PBF Obudowa dokładna: TO220AB  
Magazyn zewnetrzny:
60 szt.
ilość szt. 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,8097
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFB7534PBF Obudowa dokładna: TO220AB  
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,8400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 2,6mOhm
Maksymalny prąd drenu: 232A
Maksymalna tracona moc: 294W
Obudowa: TO220AB
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT