IRFBC20
Symbol Micros:
TIRFBC20
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 4,4Ohm; 2,2A; 50W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFBC20PBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,4Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 50W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRFBC20
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 100+ | 350+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,0600 | 1,9200 | 1,5000 | 1,4100 | 1,3300 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFBC20PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
8600 szt.
| ilość szt. | 400+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,3982 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFBC20PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
1350 szt.
| ilość szt. | 400+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,3650 |
Producent: -
Symbol producenta: IRFBC20PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
500 szt.
| ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,3300 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,4Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 50W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |