IRFBC30
Symbol Micros:
TIRFBC30
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 2,2Ohm; 3,6A; 74W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFBC30PBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,2Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,6A |
| Maksymalna tracona moc: | 74W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: IRFBC30 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
281 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,1800 | 3,0700 | 2,4600 | 2,1100 | 1,9900 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFBC30PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
250 szt.
| ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,9900 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFBC30PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
200 szt.
| ilość szt. | 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,1621 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,2Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,6A |
| Maksymalna tracona moc: | 74W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |