IRFBC40
Symbol Micros:
TIRFBC40
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 1,2Ohm; 6,2A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BUZ90A; IRFBC40PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 1,2Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 6,2A |
Maksymalna tracona moc: | 125W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | VISHAY |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: IRFBC40PBF RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
177 szt.
ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 50+ | 250+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 4,9400 | 3,4500 | 2,9200 | 2,7500 | 2,6000 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFBC40PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
550 szt.
ilość szt. | 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 2,6000 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFBC40PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
2250 szt.
ilość szt. | 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 2,6000 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFBC40PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
8700 szt.
ilość szt. | 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 2,6000 |
Rezystancja otwartego kanału: | 1,2Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 6,2A |
Maksymalna tracona moc: | 125W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | VISHAY |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | THT |