IRFBE20
Symbol Micros:
TIRFBE20
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 800V; 20V; 6,5Ohm; 1,8A; 54W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFBE20PBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 6,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,8A |
| Maksymalna tracona moc: | 54W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: IRFBE20 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
34 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,9100 | 2,8700 | 2,3000 | 1,9700 | 1,8600 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFBE20PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
425 szt.
| ilość szt. | 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,4462 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 6,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,8A |
| Maksymalna tracona moc: | 54W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |