IRFBG20
Symbol Micros:
TIRFBG20
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 1000V; 20V; 11Ohm; 1,4A; 54W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFBG20PBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 11Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,4A |
| Maksymalna tracona moc: | 54W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 1000V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFBG20 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,2000 | 3,0800 | 2,4700 | 2,1200 | 2,0000 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFBG20PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
350 szt.
| ilość szt. | 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,0990 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFBG20PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
425 szt.
| ilość szt. | 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,5702 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFBG20PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
2441 szt.
| ilość szt. | 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,0076 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 11Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,4A |
| Maksymalna tracona moc: | 54W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 1000V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |