IRFD014
Symbol Micros:
TIRFD014
Obudowa: PDIP04HVMDIP
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 200mOhm; 1,7A; 1,3W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFD014PBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 200mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,3W |
| Obudowa: | PDIP04HVMDIP |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: IRFD014 RoHS
Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP
Stan magazynowy:
200 szt.
| ilość szt. | 2+ | 15+ | 100+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,6500 | 1,5500 | 1,2500 | 1,2000 | 1,1500 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFD014PBF
Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP
Magazyn zewnetrzny:
22001 szt.
| ilość szt. | 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1500 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFD014PBF
Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt.
| ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,4481 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 200mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,3W |
| Obudowa: | PDIP04HVMDIP |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |