IRFD9024
Symbol Micros:
TIRFD9024
Obudowa: PDIP04HVMDIP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 280mOhm; 1,6A; 1,3W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFD9024PBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 280mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,6A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,3W |
| Obudowa: | PDIP04HVMDIP |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: IRFD9024 RoHS
Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP
Stan magazynowy:
30 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,8100 | 3,2000 | 2,6500 | 2,3900 | 2,2900 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFD9024PBF
Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP
Magazyn zewnetrzny:
1600 szt.
| ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,2900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 280mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,6A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,3W |
| Obudowa: | PDIP04HVMDIP |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |