IRFD9210
Symbol Micros:
TIRFD9210
Obudowa: PDIP04HVMDIP
Tranzystor P-MOSFET; 200V; 20V; 3Ohm; 400mA; 1W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 3Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 400mA |
| Maksymalna tracona moc: | 1W |
| Obudowa: | PDIP04HVMDIP |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFD9210PBF
Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP
karta katalogowa
Stan magazynowy:
40 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,4000 | 2,1400 | 1,7700 | 1,5800 | 1,4800 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFD9210PBF
Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP
Magazyn zewnetrzny:
3050 szt.
| ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,4800 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFD9210PBF
Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP
Magazyn zewnetrzny:
500 szt.
| ilość szt. | 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,4800 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 3Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 400mA |
| Maksymalna tracona moc: | 1W |
| Obudowa: | PDIP04HVMDIP |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |