IRFD9220
Symbol Micros:
TIRFD9220
Obudowa: PDIP04HVMDIP
Tranzystor P-MOSFET; 200V; 20V; 1,5Ohm; 560mA; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFD9220PBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 560mA |
| Maksymalna tracona moc: | 1W |
| Obudowa: | PDIP04HVMDIP |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFD9220PBF RoHS
Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,2000 | 2,0100 | 1,6700 | 1,4800 | 1,3900 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFD9220PBF
Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP
Magazyn zewnetrzny:
7400 szt.
| ilość szt. | 400+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,4940 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 560mA |
| Maksymalna tracona moc: | 1W |
| Obudowa: | PDIP04HVMDIP |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |