IRFH3707TRPBF International Rectifier
Symbol Micros:
TIRFH3707
Obudowa: PQFN56 (5x6mm)
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 17,9mOhm; 12A; 2,8W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 17,9mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 12A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,8W |
| Obudowa: | PQFN56 (5x6mm) |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFH3707TRPBF
Obudowa dokładna: PQFN56 (5x6mm)
Magazyn zewnetrzny:
8000 szt.
| ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5124 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFH3707TRPBF
Obudowa dokładna: PQFN56 (5x6mm)
Magazyn zewnetrzny:
8000 szt.
| ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4919 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 17,9mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 12A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,8W |
| Obudowa: | PQFN56 (5x6mm) |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |