IRFH5006TRPBF

Symbol Micros: TIRFH5006
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: PQFN08 (6x5mm)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4,1mOhm; 21A; 3,6W; -55°C~150°C; Odpowiednik: IRFH5006TRPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 4,1mOhm
Maksymalny prąd drenu: 21A
Maksymalna tracona moc: 3,6W
Obudowa: PQFN08 (6x5mm)
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 10V
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFH5006TRPBF Obudowa dokładna: PQFN08 (6x5mm)  
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,8758
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 4,1mOhm
Maksymalny prąd drenu: 21A
Maksymalna tracona moc: 3,6W
Obudowa: PQFN08 (6x5mm)
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 10V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD