IRFI1310N
Symbol Micros:
TIRFI1310n
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 36mOhm; 24A; 56W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFI1310NPBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 36mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 24A |
| Maksymalna tracona moc: | 56W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRFI1310N RoHS
Obudowa dokładna: TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
80 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,7700 | 3,3400 | 2,8400 | 2,6000 | 2,5100 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFI1310NPBF
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
10407 szt.
| ilość szt. | 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,5100 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 36mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 24A |
| Maksymalna tracona moc: | 56W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |