IRFI3205

Symbol Micros: TIRFI3205
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 64A; 63W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFI3205PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 8mOhm
Maksymalny prąd drenu: 64A
Maksymalna tracona moc: 63W
Obudowa: TO220iso
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFI3205 RoHS Obudowa dokładna: TO220iso karta katalogowa
Stan magazynowy:
55 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 50+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 9,7800 7,5100 6,3800 6,2400 6,1100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFI3205PBF Obudowa dokładna: TO220iso  
Magazyn zewnętrzny:
1925 szt.
ilość szt. 1+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 6,1100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFI3205PBF Obudowa dokładna: TO220iso  
Magazyn zewnętrzny:
130 szt.
ilość szt. 10+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 6,1100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 8mOhm
Maksymalny prąd drenu: 64A
Maksymalna tracona moc: 63W
Obudowa: TO220iso
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT