IRFI4212H-117P TO220/5Qiso
Symbol Micros:
TIRFI4212h-117p
Obudowa: TO220/5Q iso
Tranzystor 2xN-MOSFET; 100V; 20V; 72,5mOhm; 11A; 18W; -55°C ~ 150°C; ODPOWIEDNIK: IRFI4212H-117PXKMA1;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 72,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 11A |
| Maksymalna tracona moc: | 18W |
| Obudowa: | TO220/5Q iso |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFI4212H-117PXKMA1
Obudowa dokładna: TO220/5Q iso
Magazyn zewnetrzny:
1800 szt.
| ilość szt. | 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,4703 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFI4212H-117PXKMA1
Obudowa dokładna: TO220/5Q iso
Magazyn zewnetrzny:
7000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,6347 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 72,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 11A |
| Maksymalna tracona moc: | 18W |
| Obudowa: | TO220/5Q iso |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |