IRFI530N
Symbol Micros:
TIRFI530n
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 110mOhm; 12A; 41W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFI530NPBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 110mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 12A |
| Maksymalna tracona moc: | 41W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRFI530N RoHS
Obudowa dokładna: TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
189 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 250+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,0100 | 1,9100 | 1,5100 | 1,3600 | 1,3100 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFI530NPBF
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
2710 szt.
| ilość szt. | 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,1755 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFI530NPBF
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
450 szt.
| ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,1337 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 110mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 12A |
| Maksymalna tracona moc: | 41W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |