IRFI9540GPBF
Symbol Micros:
TIRFI9540
Obudowa: TO220iso
Tranzystor P-MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 11A; 48W; -55°C ~ 175°C; IRFI9540G; IRFI9540GPBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 200mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 11A |
| Maksymalna tracona moc: | 48W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: IRFI9540GPBF RoHS
Obudowa dokładna: TO220iso
Stan magazynowy:
180 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,4000 | 5,9000 | 5,0500 | 4,5400 | 4,3500 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFI9540GPBF
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
785 szt.
| ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,3500 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 200mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 11A |
| Maksymalna tracona moc: | 48W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |