IRFIB6N60APBF Vishay
Symbol Micros:
TIRFIB6n60a
Obudowa: TO220FP
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 5,5A; 60W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 750mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 5,5A |
Maksymalna tracona moc: | 60W |
Obudowa: | TO220FP |
Producent: | VISHAY |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Rezystancja otwartego kanału: | 750mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 5,5A |
Maksymalna tracona moc: | 60W |
Obudowa: | TO220FP |
Producent: | VISHAY |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | THT |