IRFIBF20GPBF Vishay

Symbol Micros: TIRFIBF20g
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220FP
N-MOSFET 900V 1.2A 30W
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 8Ohm
Maksymalny prąd drenu: 1,2A
Maksymalna tracona moc: 30W
Obudowa: TO220FP
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 900V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Vishay Symbol producenta: IRFIBF20GPBF Obudowa dokładna: TO220FP  
Magazyn zewnetrzny:
750 szt.
ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,9843
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 8Ohm
Maksymalny prąd drenu: 1,2A
Maksymalna tracona moc: 30W
Obudowa: TO220FP
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 900V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT