IRFIZ48GPBF Vishay
Symbol Micros:
TIRFIZ48g
Obudowa: TO220FP
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 18mOhm; 37A; 50W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 18mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 37A |
| Maksymalna tracona moc: | 50W |
| Obudowa: | TO220FP |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: IRFIZ48GPBF RoHS
Obudowa dokładna: TO220FP
Stan magazynowy:
50 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,5100 | 5,1900 | 4,4500 | 3,9900 | 3,8300 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFIZ48GPBF
Obudowa dokładna: TO220FP
Magazyn zewnetrzny:
6650 szt.
| ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,8300 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFIZ48GPBF
Obudowa dokładna: TO220FP
Magazyn zewnetrzny:
1490 szt.
| ilość szt. | 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,8300 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 18mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 37A |
| Maksymalna tracona moc: | 50W |
| Obudowa: | TO220FP |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |