IRFL014N

Symbol Micros: TIRFL014n
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 160mOhm; 2,7A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFL014NPBF; IRFL014NTRPBF; SP001570856; SP001554878;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 160mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2,7A
Maksymalna tracona moc: 2,1W
Obudowa: SOT223
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFL014NTRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
180 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,5100 1,5900 1,2500 1,1400 1,0900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFL014NTRPBF Obudowa dokładna: SOT223  
Magazyn zewnętrzny:
2500 szt.
ilość szt. 2500+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 1,0900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFL014NTRPBF Obudowa dokładna: SOT223  
Magazyn zewnętrzny:
17500 szt.
ilość szt. 2500+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 1,0900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFL014NTRPBF Obudowa dokładna: SOT223  
Magazyn zewnętrzny:
6350 szt.
ilość szt. 50+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 1,0900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 160mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2,7A
Maksymalna tracona moc: 2,1W
Obudowa: SOT223
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD