IRFL014N
Symbol Micros:
TIRFL014n
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 160mOhm; 2,7A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFL014NPBF; IRFL014NTRPBF; SP001570856; SP001554878;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 160mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 2,7A |
Maksymalna tracona moc: | 2,1W |
Obudowa: | SOT223 |
Producent: | International Rectifier |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRFL014NTRPBF RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
180 szt.
ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 2,5100 | 1,5900 | 1,2500 | 1,1400 | 1,0900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFL014NTRPBF
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnętrzny:
2500 szt.
ilość szt. | 2500+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,0900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFL014NTRPBF
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnętrzny:
17500 szt.
ilość szt. | 2500+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,0900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFL014NTRPBF
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnętrzny:
6350 szt.
ilość szt. | 50+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,0900 |
Rezystancja otwartego kanału: | 160mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 2,7A |
Maksymalna tracona moc: | 2,1W |
Obudowa: | SOT223 |
Producent: | International Rectifier |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |